据外媒报道，欧洲三大微电子研究机构之一的法国CEA-Leti正计划新建一条工艺引导线，基于全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)技术开发10纳米低功耗工艺技术模块，该技术未来将进一步向7纳米拓展，这也是浸没式DUV光刻技术的极限。

推进10纳米FD-SOI先进制程研发， CEA-Leti工艺引导线将于9月开工

据外媒报道，欧洲三大微电子研究机构之一的法国CEA-Leti正计划新建一条工艺引导线，基于全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)技术开发10纳米低功耗工艺技术模块，该技术未来将进一步向7纳米拓展，这也是浸没式DUV光刻技术的极限。

该机构透露，FD-SOI新一代工艺将与18、22和28nm的现有设计兼容，并且还将包括嵌入式非易失性存储器(eNVM)工艺。该项目由法国政府独立于《欧盟芯片法案》提供资金。

报道称，位于法国格勒诺布尔的3000平方米洁净室将于今年9月破土动工，为目前生产FD-SOI器件的意法半导体和格芯开发工艺模块。

新工艺将在三年内准备就绪，与邻近克罗尔斯的意法半导体新合资晶圆厂保持同步，并使用Soitec提供的SOI晶圆。

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